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IGBT 中頻電源
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隱藏域元素占位
- 產(chǎn)品描述
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- 商品名稱: IGBT 中頻電源
IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應(yīng)晶體管（MOSFET）的復(fù)合體，它綜合了GTR和SFT的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性
技術(shù)特點(diǎn)
1、IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應(yīng)晶體管（MOSFET）的復(fù)合體，它綜合了GTR和SFT的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。
2，IGBT中頻電源采用電容與感應(yīng)圈串聯(lián)形式連接電路，因采用調(diào)頻調(diào)功，整流橋處于不控狀態(tài)，功率因數(shù)高達(dá)0.96以上；工作過程中諧波小。
3、IGBT晶體管控制特點(diǎn)與可控硅相比不但可以控制導(dǎo)通，還可以任意自主控制關(guān)斷，不像可控硅被動(dòng)關(guān)斷且需要時(shí)間，使逆變功率因數(shù)也更高（297%），同等的進(jìn)線電壓（380V）爐體電壓更高，IGBT逆變電壓在2800V左右，傳統(tǒng)可控硅的逆變電壓僅為750 最大 800v，電壓高了近四倍，線路損耗小，可節(jié)能15%。
4、恒功率輸出。IGBT中頻電源調(diào)頻調(diào)功相對(duì)于傳統(tǒng)可控硅中頻電源調(diào)壓調(diào)功，它不受爐料多少，爐襯壁薄厚的影響，在整個(gè)熔煉過程中接近恒功率輸出。傳統(tǒng)可控硅中頻電源加熱過程中受磁感量變化大的影響起初熔煉功率小，影響熔煉速度，可控硅電源的功率是隨著熔煉時(shí)間及磁感量變化而變化的，由小功率慢慢提高到大功率運(yùn)行的過程，降低了變壓器的容量利用率提高了生產(chǎn)成本，在這一點(diǎn)上能節(jié)能 3%6-5%左右。
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