串聯(lián)一拖多熔煉系統(tǒng)

IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應晶體管（MOSFET）的復合體，它綜合了GTR和SFT的優(yōu)點，因而具有良好的特性

技術特點

1、IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應晶體管（MOSFET）的復合體，它綜合了GTR和SFT的優(yōu)點，因而具有良好的特性。
2、IGBT中頻電源采用電容與感應圈串聯(lián)形式連接電路，因采用調(diào)頻調(diào)功，整流橋處于不控狀態(tài)，功率因數(shù)高達0.96以上；工作過程中諧波小。
3、IGBT晶體管控制特點與可控硅相比不但可以控制導通，還可以任意自主控制關斷，不像可控硅被動關斷且需要時間，使逆變功率因數(shù)也更高（297%），同等的進線電壓（380V）爐體電壓更高，IGBT逆變電壓在2800V左右，傳統(tǒng)可控硅的逆變電壓僅為750 最大 800v，電壓高了近四倍，線路損耗小，可節(jié)能15%。
4、恒功率輸出。IGBT中頻電源調(diào)頻調(diào)功相對于傳統(tǒng)可控硅中頻電源調(diào)壓調(diào)功，它不受爐料多少，爐襯壁薄厚的影響，在整個熔煉過程中接近恒功率輸出。傳統(tǒng)可控硅中頻電源加熱過程中受磁感量變化大的影響起初熔煉功率小，影響熔煉速度，可控硅電源的功率是隨著熔煉時間及磁感量變化而變化的，由小功率慢慢提高到大功率運行的過程，降低了變壓器的容量利用率提高了生產(chǎn)成本，在這一點上能節(jié)能 3%6-5%左右。

產(chǎn)品優(yōu)勢

效率高
審聯(lián)逆變器采用半橋電路，主電路元器件數(shù)量相對減少，且有很高的功率因數(shù)，故有較高功率。
良好的自動特性，在滿載，重載狀態(tài)下，都能隨意起動，起動成功率達100%，提高功率因素，確保在任意功率下功率因數(shù)達 95%，恒功率輸出，功率輸出采用恒定控制，在熔煉過程中，負載和溫度變化時，其負載始終滿功率輸出，從而縮短熔煉時間。
具有完善的保護與運行狀況監(jiān)控系統(tǒng)
如：用傳感器對進線電流、電壓、漕路電流、電壓取信號，給雙閉環(huán)數(shù)字電路進行限流、限壓、過量過壓重復保護，有水溫水壓保護等等。KK 可控硅、KP 可控硅都具有自關斷時間保護。
有完整的檢測系統(tǒng)
對逆變器，濾波電容器工作溫度采用溫度開關表進行監(jiān)控，一旦冷卻水溫度超過設定值或出現(xiàn)水路故障發(fā)出報警并切斷電源。對電源冷卻水輸入有水壓繼電氣控制，冷卻水輸出有溫度開關表監(jiān)控欠壓，超溫會發(fā)出報警并切斷電源。